Technique et applications des transistors… PDF

Si ce bandeau n’est plus pertinent, technique et applications des transistors… PDF-le. En pratique : Quelles sources sont attendues ?


C’est un composant fondamental des appareils électroniques et des circuits logiques. Ils déposent leur première demande de brevets pour un transistor le 13 août 1948. L’objectif est alors de conquérir le marché mondial en premier. En 1952, Herbert Mataré crée l’entreprise Intermetall qui est la première à produire des transistors et qui atteindra son apogée un an plus tard avec la présentation de la première radio à transistor un an avant celle de Texas Instrument. Avant cela, Herbert Mataré avait déjà approché l’effet transistor alors qu’il travaillait pour l’armée allemande durant la seconde guerre mondiale dans le but d’améliorer les radars.

L’urgence de la guerre l’empêcha de se pencher davantage sur le sujet et il qualifia ce phénomène d’interférences . Une fois le transistor découvert, l’ouverture au grand public ne fut pas immédiate. 7 ans après la découverte du transistor. Mais à partir de ce moment son influence sur la société fut exponentielle, en particulier chez les scientifiques et les industriels.

En effet, à partir du milieu des années 50, on commence à utiliser le transistor dans les ordinateurs, les rendant assez fiables et relativement petits pour leur commercialisation. De nos jours, le transistor est omniprésent dans la plupart des appareils de notre quotidien. Il est présent dans tout ce qui contient un tant soit peu d’électronique, de notre cafetière à nos voitures en passant par les feux de signalisation. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur dont le principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l’une en direct et l’autre en inverse. Article détaillé : Transistor à effet de champ. Transistors JFET : ils utilisent les propriétés des jonctions PN. Le transistor dit unijonction, n’est quasiment plus utilisé, mais servait à créer des oscillateurs à relaxation.

L’IGBT, est un hybride bipolaire et de MOSFET, principalement utilisé en électronique de puissance. Et à ceux de l’électronique de puissance et haute tension. La technologie bipolaire est plutôt utilisée en analogique et en électronique de puissance. Un mélange des deux technologies est utilisé dans les IGBT.

Pour la grande majorité des applications, on utilise le silicium alors que les matériaux plus exotiques tels que l’arséniure de gallium et le nitrure de gallium sont plutôt utilisés pour réaliser les transistors hyperfréquence et micro-onde. On parle de FET à canal N ou P suivant le dopage du barreau. Dans les deux types de transistors bipolaires, l’électrode traversée par l’ensemble du courant s’appelle l’émetteur. Le courant dans l’émetteur est égal à la somme des courants du collecteur et de la base. NPN, vers l’intérieur dans le cas d’un PNP.

L’électrode reliée au milieu de la barre centrale figure la base et la troisième électrode figure le collecteur. Les traits obliques sont habituellement remplacés par des traits droits. Pour le transistor MOS, la grille se détache des autres électrodes, pour indiquer l’isolation due à la présence de l’oxyde. Les premiers transistors avaient comme base le germanium. Ce matériau, de nouveau utilisé pour certaines applications, a vite été remplacé par le silicium plus résistant, plus souple d’emploi, moins sensible à la température. Les transistors à effet de champ sont principalement utilisés en amplification grand gain de signal de faible amplitude, très basse tension. Ils sont très sensibles aux décharges électrostatiques.

Le graphène, nouveau matériau très prometteur et performant, pourrait remplacer le silicium dans les transistors de future génération. Le transistor à effet de champ. Inversement, les transistors à enrichissement sont bloqués lorsque la grille a un potentiel nul. Chacun de ces transistors est caractérisé par une tension de seuil, correspondant à la tension de grille qui fait la transition entre le comportement bloqué du transistor et son comportement conducteur. Uniquement utilisé dans l’électronique de puissance. Transistor unijonction : ce transistor est utilisé pour ses caractéristiques de résistance dynamique négative, ce qui permet de réaliser simplement un oscillateur.

N’est plus utilisé de nos jours. Par rapport à une photodiode, il est plus sensible, car il bénéficie de l’effet amplificateur propre au transistor. L’opto-isolateur : le phototransistor est monté dans le même boîtier qu’une diode électroluminescente. C’est la lumière qui assure la transmission des signaux entre le phototransistor et la diode électroluminescente.